陈长清，男，1992、1995年分别在武汉大学物理系取得学士、硕士学位，2000年在德国埃尔兰根-纽伦堡大学(University of Erlangen-Nürnberg)取得博士学位。博士毕业后在美国University of South Carolina等大学和公司从事III族氮化物半导体材料与器件研发工作。2007年聘任为华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、博导。教育部“新世纪优秀人才支持计划”、 湖北省“楚天学者计划”特聘教授、武汉市“城市合伙人”。
在半导体发光二极管LED、半导体紫外探测器和高电子迁移率晶体管HEMT等器件的MOCVD外延材料生长和器件制备等方面积累了丰富的经验。先后在Appl. Phys. Lett.、Opt. Express、Advanced Optical Materials、Jpn. J. Appl. Phys.、J. Appl. Phys.、IEEE TED等国际SCI学术刊物上发表了一百五十余篇半导体研究论文，SCI引用次数高于二千余次。
作为项目负责人，先后主持国家重点研发计划项目课题、国家重点基础研究发展计划973项目课题、973项目子课题、国家自然科学基金面上项目、湖北省杰出青年基金项目和武汉市科技局重点项目等项目。陈长清博士具有丰富的LED外延生长、芯片制造和管理等产业化经验。2015年带领团队创办武汉优炜星科技有限公司，进行紫外UV LED产学研工作，入选湖北省双创战略团队，定位成为固态紫外光源UV LED顶尖供应商。