黎大兵,男,1975年出生,博士,博士生导师。国家杰出青年基金获得者（2017年），中科院特聘研究员，科技部中青年创新领军人才，入选第四批“万人计划”科技创新领军人才，享受国务院政府特殊津贴。曾任中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任、长春光机所圆辰微电子技术有限公司总经理、现任长春光机所所务委员兼基础科研处处长。
主要从事基于氮化物理论、材料生长及光电器件及物理研究。立足于缺陷调控工程，实现了低缺陷密度、高质量的AlN材料，实现了基于表面等离激元增强的GaN、AlGaN紫外及深紫外探测器，研制出高性能AlGaN日盲紫外探测器及深紫外LEDs。作为课题负责人承担国家重点研发计划、国家自然科学基金杰出青年基金、国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目等项目。在Light：Science & Applications，Advances in Optics and Photonics等国际期刊上等发表SCI论文100余篇，申请发明专利50余项。担任第三代半导体产业技术战略联盟青委会副主任委员、电子学会青年工作委员会副主任委员、《Scientific Reports》、《发光学报》、《quantum Engineering 》等期刊编委，中国金属学会宽禁带委员会委员，OSA高级会员。荣获吉林省自然科学一等奖（第一完成人）。
研究方向
AlGaN紫外光电材料与器件