孙钱，中国科技大学材料物理学士（郭沫若奖获得者）、中科院半导体所硕士、美国耶鲁大学电子工程博士（耶鲁工学院Becton奖获得者），国家优秀青年基金获得者，国家重点人才工程（首批青年人才），国家技术发明一等奖获得者（排名第4）。中科院元器件专家组成员、JWKJW xxx重大优先方向专家组成员，中国物理学会发光分会委员、中国电子学会电子材料分会青年副主任委员、中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、所党委委员。长期致力于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与晶能光电有限公司的产学研实质性合作，带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术，并成功实现了规模量产。成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器，入选中国光学十大进展。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、中科院先导B类专项课题、中科院前沿科学重点研究项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今已在NaturePhotonics、Light: Science & Applications、以及Electron.Dev. Lett.等国际学术期刊上发表了100余篇被SCI收录的学术论文，是40余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、PhotonicsWest、ICMOVPE、APWS、ISGN、CSW、IWUMD、SemiconTaiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。兼任Journal of Physics D: Applied Physics编委会委员、《发光学报》青年编辑委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。