汪炼成教授

汪炼成，中南大学特聘教授，博士生导师，微电子科学与工程系副主任，高性能复杂制造国家重点实验室研究员。先后在中科院半导体研究所, 新加坡南洋理工大学，新加坡科技大学和英国谢菲尔德大学从事博士和博士后研究工作，一直从事第三代半导体相关的科学研究、学科平台建设和产学研相关工作，部分成果已实现产业化应用。

目前已经在ACS Photonics、Optics Letters等领域内权威SCI 期刊发表论文110多篇，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文70余篇，引用1170余次，申请专利50余项，已授权22项；成功制备性能国内领先、国际一流垂直结构LED，开拓石墨烯透明电极在LED中应用，及面向高质量半导体照明、Micro-LED显示及可见光通信应用的先进GaN基LED和Micro-LED器件。近年合作开拓高功率密度功率封装和可靠性方面研究。工作数次被专业媒体如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 报道，获湖湘高层次青年创新人才（湖南省科技厅，2018）、CASA第三代半导体卓越创新青年(第三代半导体产业技术创新战略联盟，2019）、最佳年轻研究人员（英国物理协会，半导体科学与技术杂志，2018）等荣誉和奖励。

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体是新基建、消费电子和军事国防的核心元器件，也是当前信息制造产业竞争焦点。具有高功率密度高I/O密度高耐压高频等特征的第三代半导体器件面临特有的电气互连、绝缘保护、寄生电感电容控制、高效散热和高效电驱动等制造和集成难题，本课题组依托高性能复杂制造国家重点实验室，以高I/O密度GaN基Micro-LED和高功率密度SiC功率模块作为典型器件对象，研究第三代半导体器件制造中的科学机理和关键技术。